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　　继电器是电气工程的根基元件之一。早正在展现电磁蜕化时就降生了这种产物，使用电磁铁正在通电和断电下磁力出现和隐没的征象，来限定高电压高电流端电途的开合，它的映现使得电途的长途限定和庇护等事务得以顺手举办。

　　继电器维持了从汽车到坐蓐线，从家电到电网的通常运用，遵照统计，我国2022年继电器产量达91.5亿个，占环球产量的50%，这一宏大商场继续以还绝大局部都采用了呆板式继电器，其拥有低本钱、无走电流、更好的鲁棒性、通常的事务温度区间等等上风。

　　可是呆板式继电器也拥有诸多缺欠，包含体积大、开闭速率慢、寿命有限等等。跟着半导体技能和集成电途的繁荣，固态继电器正正在成为一个可代替的采取。

　　固态继电器使用半导体元件代替呆板开闭，从而供给更高的开闭速率、更长的寿命和更高的牢靠性。固态继电器没有物理触点，因而裁汰了呆板磨损和电磁骚扰，使其格表适合运用正在必要频仍切换和高牢靠性的场地。

　　之前，光耦继续是固态继电器的首要分隔技能，跟着电磁分隔和电容分隔技能的普及，这些新兴的分隔技能正正在固态继电器中饰演着越来越首要的脚色。

　　谭园吐露，无论是古板呆板式继电器，照旧光耦继电器，都存正在着技能自身带来的受限之处，其一即是牢靠性和寿命的挑衅。比方呆板继电器的开合，会酿成电弧，从而影响金属触点发作黏连等障碍。而光耦继电器也会因为LED的光衰而低重牢靠性，其它，光耦器件往往正在更高耐压等第、更幼封装、更宽事务温度界限的完毕上存正在着挑衅。

　　谭园填充道，幼型化是固态继电器的首要上风之二，跟着终端产物的幼型化趋向，给电子部件预留的空间越来越幼，呆板式继电器渐渐无法适合该下的电途空间局部，体积更幼的固态继电器成为了首选项。

　　第三个首要上风是援帮智能化，比拟缺乏反应的呆板式继电器而言，固态继电器有着电子器件的自然上风，即更容易集成百般检测、庇护、反应等智能化因素，通过IC的智能化，使得客户编造完毕更太平更工致的限定。

　　可是谭园也吐露，比拟于光耦，非光耦式分隔式继电器正在EMI目标比方RE上碰到挑衅，可是跟着技能的改正，EMI涌现正正在明显改革。

　　谭园夸大道，现实上从分隔技能迭代的角度来看，光耦正正在各个场景中被电容分隔和电磁分隔所代替，从分隔器到分隔采样、分隔驱动等，此刻固态继电器界限也发作着同样的过程。

　　电容分隔的继电器有哪些上风？谭园以纳芯微的新品NSI7258系列为例，精细先容了固态继电器的明显上风。

　　谭园声明道，继电器的事务道理很简陋，由输入、分隔及MOS输出组成，可是应用起来便捷性何如，耐压能做到多高，功能能做到多好，这些都要正在芯片安排及封装安排中细节显示。

　　比方正在输入端，纳芯微开辟的是光耦兼容的输入口，能够直接代替光耦继电器，便当客户替代。正在分隔端，纳芯微的电容分隔技能一经通常运用于百般产物上，取得了多数认证。而正在封装上，纳芯微通过内部空间及引线优化，正在不异封装下（SOW12）完毕了业内当先的5.91mm副边爬电隔断，同时原边副边爬电隔断也到达8mm。

　　谭园卓殊夸大了纳芯微正在输出端的考量，采用了背靠背的两颗1700V的SiC MOS，完毕了更高的耐压等第。使用SiC高耐压特质，可正在走电、抗雪崩击穿等才华上远赶上硅。该SiC MOS是纳芯微参预研发的产物，继电器的重心是开闭效力，因而也和通常的SiC功率器件差异，比方该SiC MOS并不必要太甚于琢磨导通电阻等。也唯有深度参预研发流程，才智够开辟出最符合的SiC MOS，从而最终完毕了耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流的功效。

　　谭园也先容了纳芯微正在EMI上的当先性，正在纳芯微研发NSI7258固态分隔器时刻，一共申请了四项专利，此中三项都是和EMI闭系，可见对EMI的注意水准。因为电容和电磁分隔调造频率较高，因而比拟光耦更容易映现EMI题目。但纳芯微通过一系列专利组织，明显低重了EMI，遵照实测结果，NSI7258可正在单板无磁珠的要求下轻松通过CISPR25 Class 5测试。

　　谭园吐露，纳芯微目前的固态继电器，首要对准信号类运用场景，也即是电流比力幼的效力区，包含绝缘检测、采样回途开闭、粘连监测等等，客户场景首要涵盖汽车、新能源、电池处置等对尺寸、牢靠性都有高条件的商场。

　　“这也是基于客户的给与度循序渐进的。”谭园吐露。局部客户基于太平等琢磨，或许临时会采取正在幼电流、非高太平的场景中试验固态继电器。而一朝他们可能真正意会到固态继电器的上风，或许会更有代替意图。

　　琢磨到古板继电器必要金属耗材，势必正在尺寸、重量、牢靠性等方面不足固态继电器，永远来看，半导体器件的本钱下探潜力也更大。同时，跟着MCU和百般监控算法的引入，能够修筑出特别智能的编造，从而使固态继电器阐述出更高的代价。